DMN2024U-13

您是否正在为下一代便携式设备寻找一颗既能提供强劲动力，又能在狭小空间内高效工作的核心开关？想象一下，一款性能卓越的N沟道MOSFET，其导通电阻低至惊人的25毫欧，却能被封装在微小的SOT-23中，这正是DMN2024U-13为您带来的现实。它不仅是一颗芯片，更是您产品实现高效能、小型化设计的秘密武器。

无论是智能手机中精细的电源管理，还是无人机飞控系统里需要快速响应的电机驱动，甚至是高密度服务器主板上的负载开关，DMN2024U-13都能游刃有余。其高达6.8A的连续漏极电流和20V的漏源电压，确保了在严苛应用下的稳定输出；而低至1.8V的驱动电压，让它能轻松兼容各类低功耗微处理器，显著延长电池续航。这意味着您的设计可以更紧凑，性能却更澎湃，用户体验直接跃升一个台阶。

选择DMN2024U-13，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与极致效率的平衡。它来自Diodes Incorporated的先进工艺，确保了从-55°C到150°C的宽广工作温度范围内的一致表现。这颗芯片的卓越之处在于，它用极低的栅极电荷和输入电容，大幅降低了开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更安静。当您追求产品差异化时，这样一颗集高性能、小尺寸、高可靠性于一身的器件，无疑是您电路板上的明星。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您服务，助力您的创意快速落地。

• 型号:DMN2024U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 Tu0026R 1
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为空间受限的设计中难以实现高效功率切换而烦恼吗？让DMN2024U-13来改变这一切！这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和高达6.8A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅25毫欧@4.5V），能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为高效开关而优化，低栅极电荷和输入电容让开关速度更快、损耗更低。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，它都能让您的系统响应更迅捷，整体能效大幅提升。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。