DMN2022UNS-13

想象一下，当您的便携式设备需要更长的续航、更快的充电速度，同时还要保持紧凑的设计，您是否在为寻找一颗既能高效管理功率又节省空间的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的DMN2022UNS-13，正是为解决这类核心挑战而生。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其卓越的性能参数，正在重新定义紧凑型电源管理方案的可能性。

无论是智能手机的快充电路、平板电脑的电池保护模块，还是轻薄笔记本的DC-DC转换器，DMN2022UNS-13都能游刃有余。它采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小的占板面积内集成了两个高性能MOSFET，其共漏极配置为同步整流和负载开关等拓扑结构提供了理想选择。高达10.7A的连续漏极电流和低至10.8毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和发热，直接转化为更长的电池使用时间和更凉爽的设备手感。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。

选择DMN2022UNS-13，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一种面向未来的设计策略。它极低的栅极电荷和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统在高速开关时依然保持高效，这对于追求极致能效的现代电子产品至关重要。其表面贴装形式与微型化封装，极大地简化了PCB布局，为您的产品内部释放出宝贵的空间，去容纳更大的电池或更丰富的功能。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的DIODES一级代理身份确保了正品供应与快速响应，让您的项目从设计到量产全程无忧。让DMN2022UNS-13成为您下一款明星产品的“能量心脏”，驱动创新，赢得市场。

• 型号:DMN2022UNS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 想获取DMN2022UNS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为空间有限的PCB板寻找高性能的功率开关解决方案吗？DMN2022UNS-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想之选。它能让您轻松实现高效的同步整流和负载切换，其低至10.8毫欧的导通电阻和高达10.7A的电流处理能力，显著降低功率损耗，提升系统整体能效。

这颗芯片采用超紧凑的PowerDI3333-8封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的开关特性（栅极电荷仅20.3nC）确保高速开关下的低损耗。无论是用于便携设备的电源管理，还是需要高密度布局的模块设计，它都能让您的产品运行更凉爽、续航更持久、性能更可靠。