DMN2016UTS-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗集双通道、高效率与超小封装于一体的MOSFET，将如何彻底改变您的产品布局？答案就在DMN2016UTS-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道双MOSFET阵列，以其20V的耐压和高达8.58A的连续漏极电流能力，为您带来前所未有的功率密度。其14.5毫欧的超低导通电阻（在4.5V Vgs下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的设备运行时间、更低的系统温升以及更出色的整体可靠性。

无论是需要高频率切换的DC-DC转换器、负载开关，还是空间极其宝贵的便携式设备、无人机飞控、智能穿戴设备的电源路径管理，DMN2016UTS-13都能游刃有余。其逻辑电平门驱动特性（Vgs(th)最大仅1V），使其能够轻松被3.3V或5V的现代微控制器直接驱动，省去了繁琐的电平转换电路，让您的设计更加简洁高效。在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了从工业严苛环境到消费电子产品的广泛适应性。当您需要可靠且高性能的半导体解决方案时，选择与专业的DIODES一级代理合作，是确保供应链稳定和获得全面技术支持的关键一步。

那么，在众多同类产品中，为何最终锁定这颗芯片？除了卓越的电气参数，其采用标准的8-TSSOP封装，宽度仅4.4mm，为PCB布局提供了极大的灵活性，是应对日益小型化设计趋势的利器。极低的栅极电荷（16.5nC @ 4.5V）和输入电容，显著降低了开关损耗，提升了系统在高速开关应用中的整体效率。这意味着，选择DMN2016UTS-13，不仅仅是选择了一颗MOSFET，更是选择了一种更高效、更紧凑、更可靠的设计哲学。它让工程师能够将更多精力聚焦于系统创新，而非在基础器件的性能妥协上耗费心神。立即体验这颗小巧而强大的双通道开关，为您的下一个项目注入强劲而高效的动力核心。

• 型号:DMN2016UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.58A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1495pF @ 10V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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还在为电路板空间紧张和开关效率不高而头疼吗？DMN2016UTS-13双N沟道MOSFET阵列就是为您量身打造的解决方案。它能在紧凑的8-TSSOP封装内，为您提供两路独立的逻辑电平驱动通道，让您轻松实现高效的同步整流、负载切换或电机驱动，大幅节省PCB面积。

这颗芯片的核心价值在于让您的设计更高效、更简洁。其超低的导通电阻（仅14.5毫欧）和栅极电荷，确保了极低的导通与开关损耗，直接提升系统能效，减少发热。同时，1V的低阈值电压让您可以直接用微控制器GP口驱动，省去额外的驱动电路，简化设计流程，加速产品上市。