DMN2013UFDE-7

想象一下，当您的便携设备需要处理高达10.5A的电流，同时还要保持极致的紧凑与高效，您会选择怎样的解决方案？这正是DMN2013UFDE-7诞生的意义它不仅仅是一颗MOSFET，更是您应对现代高密度、高效率电源设计的得力伙伴。在20V的电压舞台上，它能以仅11毫欧的超低导通电阻，让能量损耗降至最低，将每一分电力都精准地转化为您需要的动力。

无论是智能手机的快速充电模块、平板电脑的电源管理单元，还是各类便携式消费电子的核心开关电路，这颗芯片都能完美融入。其U-DFN2020-6的超小型封装，为寸土寸金的PCB布局释放了宝贵空间，让您的产品设计更加纤薄、轻巧。而宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了从严寒到酷热的各种环境下，性能始终稳定如一，为产品的可靠性提供了坚实保障。

选择DMN2013UFDE-7，就是选择了一种面向未来的设计思路。它极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统的整体能效。当您需要一位可靠的技术伙伴时，专业的DIODES芯片代理不仅能提供这颗性能卓越的芯片，更能带来从选型支持到供应链保障的全方位服务。让这颗集高效、紧凑、可靠于一身的N沟道MOSFET，成为您下一款明星产品中那个沉默却强大的核心引擎，驱动创新，赢得市场。

• 型号:DMN2013UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.8 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2453 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• 想获取DMN2013UFDE-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为空间有限的电路板寻找一颗既能承载大电流又足够小巧的功率开关吗？DMN2013UFDE-7正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达10.5A的连续电流能力，其核心魅力在于仅11毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通时的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用先进的U-DFN2020-6微型封装，能轻松嵌入各种紧凑型设计中，为您节省宝贵的PCB面积。同时，优化的栅极特性让驱动变得简单高效，帮助您轻松实现快速、干净的开关控制。无论是用于电源路径管理、负载开关还是电机驱动，它都能让您的系统效率迈上新台阶，是追求高性能与高密度设计的工程师的理想之选。