DMN2011UFDE-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在紧凑空间内，以超低导通电阻承载超过11安培电流的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMN2011UFDE-13带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其仅为9.5毫欧的超低导通电阻，在4.5V驱动电压下就能实现高效导通，显著降低了功率转换过程中的能量损耗。这意味着，无论是为便携设备快速充电，还是在服务器电源中实现精准的负载点转换，DMN2011UFDE-13都能确保电能以最高的效率传递，让热量无处遁形，系统运行更加冷静可靠。其高达11.7A的连续漏极电流能力和20V的漏源电压，为各种中低压、大电流应用场景提供了坚实的保障。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值愈发凸显。在最新的Type-C充电器、移动电源、无人机电调或是车载娱乐系统中，空间极其珍贵，散热挑战严峻。DMN2011UFDE-13采用的先进6UDFN封装，体积小巧却性能强悍，完美契合高密度PCB布局的需求。它能让您的终端产品在保持轻薄时尚外观的同时，拥有更持久的续航和更稳定的输出，用户体验直接升级。选择它，就是选择了一种更智能、更高效的电源管理哲学。

那么，为何众多领先企业都将DMN2011UFDE-13作为首选？答案在于其卓越的综合性能与可靠性。它不仅在电气参数上表现出色，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）更能适应苛刻的环境，确保产品在各种极端条件下稳定工作。极低的栅极电荷和输入电容，使得开关速度更快，驱动更简易，进一步优化了整个系统的动态响应和效率。如果您正在寻找一个能同时解决效率、尺寸和可靠性难题的解决方案，那么这款芯片无疑是您的理想之选。如需获取样品或技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您服务，助力您的创意迅速转化为市场领先的产品。

• 型号:DMN2011UFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3372 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:610mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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还在为电源转换效率瓶颈而烦恼吗？DMN2011UFDE-13就是为您破局而生的利器。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的9.5毫欧超低导通电阻，能让您在4.5V驱动电压下，轻松驾驭高达11.7A的连续电流，显著降低开关损耗和发热，直接将您的电源模块效率提升到一个新高度。

它采用紧凑的6UDFN封装，专为空间受限的现代电子设备优化，让您能在更小的PCB面积上实现更大的功率输出。无论是打造高效的DC-DC转换器、电机驱动，还是智能负载开关，DMN2011UFDE-13都能以卓越的电气性能和可靠性，确保您的系统运行更冷静、更持久、更稳定。