DMN2005LP4K-7

在追求极致小型化的电子设计领域，您是否还在为如何在有限空间内实现高效、可靠的功率开关而烦恼？想象一下，一个比米粒还小的器件，却能精准控制电路的通断，为您的便携设备注入持久活力。这正是DMN2005LP4K-7所带来的革新体验。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其微型化的3DFN封装和卓越的电气性能，重新定义了紧凑型功率管理的可能性。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便熠熠生辉。无论是需要超长待机的TWS蓝牙耳机、智能穿戴设备，还是对空间极其敏感的微型传感器模块、物联网终端，DMN2005LP4K-7都能完美融入。其20V的漏源电压和200mA的连续漏极电流，足以应对大多数低功耗场景的开关与负载驱动需求。更令人印象深刻的是，它在仅1.5V的低驱动电压下就能实现优异的导通性能，这意味着它能与当今主流的低电压微处理器和逻辑电路无缝协作，显著降低整体系统的功耗，让您的产品在续航竞赛中脱颖而出。

选择DMN2005LP4K-7，就是选择了一份可靠与高效。其极低的导通电阻（最大仅1.5欧姆@10mA, 4V）确保了开关过程中的功率损耗被降至最低，电能得以更高效地传递。宽广的工作温度范围（-65°C至150°C）赋予了它强大的环境适应能力，无论是严寒还是酷暑，都能稳定运行。对于寻求稳定供应链和专业技术支持的开发者而言，通过值得信赖的DIODES芯片代理进行采购，不仅能获得正品保障，还能获取全面的应用支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。这颗小小的芯片，承载的是让您的创意轻松落地、让产品性能大幅提升的巨大能量。

• 型号:DMN2005LP4K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:41 pF @ 3 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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还在寻找那颗能点亮您微型设备设计灵感的“心脏”吗？DMN2005LP4K-7正是为您而来。这颗超小型N沟道MOSFET，专为空间受限的便携式和物联网设备量身打造，它能以极高的效率执行关键的功率开关任务。

它能让您轻松实现电路的通断控制，其低至1.5V的驱动电压与主流微控制器完美匹配，极大简化了您的驱动电路设计。同时，优异的导通特性和低功耗表现，直接助力延长终端产品的电池续航，让您的设计更高效、更具市场竞争力。选择它，就是为您的精巧创意选择了一个强大而可靠的执行伙伴。