DMN2004TK-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一款能在低压、小电流应用中稳定可靠、同时又能大幅节省空间的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案DMN2004TK-7。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和微小的封装，正在重新定义便携式与低功耗设备的电源管理标准。

想象一下，在您的智能手表、蓝牙耳机、便携式医疗传感器或物联网终端设备中，需要一颗能够精准控制电路通断的“心脏”。DMN2004TK-7正是为此而生。它拥有20V的漏源电压和540mA的连续漏极电流，足以轻松应对各类低压电池供电场景。更令人惊喜的是，它在仅1.8V的低驱动电压下即可开启高效工作，这意味着它能与最新的低功耗微处理器完美协同，最大限度地延长设备的续航时间，让您的产品在竞争中脱颖而出。

选择DMN2004TK-7，您选择的不仅仅是一颗芯片，更是一份对可靠性与高效生产的承诺。其SOT-523超小型封装，面积比传统SOT-23节省超过70%，为您的PCB布局释放出宝贵的空间，让设计更自由、产品更纤薄。同时，高达150°C的结温工作范围和稳定的电气特性，确保了从-55°C到高温环境的全范围稳定运行，大幅提升了终端产品的耐用性和市场口碑。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的DIODES一级代理身份将为您提供从选型到量产的全周期保障，让创新之路畅通无阻。

• 型号:DMN2004TK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的开关核心吗？DMN2004TK-7就是您理想的解决方案。这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，专为低压、小电流应用优化，能让您的便携设备运行更持久、响应更迅捷。

它能在低至1.8V的驱动电压下高效导通，轻松配合现代低功耗MCU，显著降低系统整体能耗。其仅550毫欧的低导通电阻（@4.5V, 540mA），意味着更少的能量损耗和更低的发热，让您的产品设计更高效、更可靠。采用微型SOT-523封装，它为您节省下至关重要的PCB空间，让产品设计迈向更轻薄、更紧凑的未来。