DMN2004K-7

在追求极致能效的现代电子设计中，您是否还在为寻找一款既能满足紧凑空间要求，又能提供稳定可靠开关性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMN2004K-7。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和微小的封装，正在重新定义小功率开关应用的效率标准。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或智能穿戴产品的核心电路中，DMN2004K-7正静默而高效地工作着。它仅需1.8V的低驱动电压即可开启，在4.5V时导通电阻低至550毫欧，这意味着它能显著降低开关损耗和热量产生，直接延长了您产品的电池续航时间。其20V的漏源电压和630mA的连续漏极电流能力，为各种低压DC-DC转换、负载开关和信号切换应用提供了坚实的保障。无论您的设计面临-65°C的严寒还是150°C的酷热挑战，它都能稳定运行，确保产品在各种极端环境下的可靠性。

选择DMN2004K-7，就是选择了一种更智能的设计哲学。它采用经典的SOT-23-3表面贴装封装，几乎不占用宝贵的PCB空间，让您的布局更加灵活，产品更加轻薄。更低的输入电容（仅150pF @ 16V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更加迅捷。当您需要为项目寻找可靠且高性能的元器件时，与专业的DIODES代理商合作，不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应，还能获得及时的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键伙伴。

• 型号:DMN2004K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在设计需要高效电源管理或精密信号控制的便携式设备吗？DMN2004K-7正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任负载开关、DC-DC转换和信号路径管理等任务，其低至1.8V的驱动电压和550毫欧的导通电阻，让您的系统能以更低的功耗实现高效的开关控制。

它采用紧凑的SOT-23-3封装，能完美融入空间受限的设计，同时其宽广的工作温度范围（-65°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。