DMN13H750S-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能保持低损耗的可靠开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍DMN13H750S-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为破解您的效率难题而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键钥匙。

想象一下，在您的电源转换模块、电机驱动控制板或是高效的LED照明驱动器中，一颗芯片需要稳定地工作在130V的高压下，同时还要精准地控制电流的通断。这正是DMN13H750S-7大显身手的舞台。其仅750毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），意味着电流通过时产生的热量损耗被降至极低，让您的系统运行更凉爽、更持久。无论是消费电子中的充电管理，还是工业设备中的辅助电源开关，它都能以卓越的能效表现，为终端产品注入强劲而稳定的生命力。

选择它，意味着您选择了一种经得起考验的可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从严寒到酷热的各种苛刻环境下，性能始终如一。紧凑的SOT-23封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。当您需要稳定、优质的货源支持时，遍布全球的DIODES代理商网络将是您坚实的后盾，确保供应链顺畅无阻。让DMN13H750S-7成为您下一个成功设计的核心动力，它将用实实在在的高性能和低损耗，助您的产品在市场竞争中脱颖而出，赢得用户信赖。

• 型号:DMN13H750S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:130 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:231 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMN13H750S-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为开关器件的效率瓶颈而困扰吗？DMN13H750S-7这颗高性能N沟道MOSFET，就是为您提升系统能效而设计的利器。它能轻松胜任高达130V电压、1A电流的开关任务，其核心价值在于极低的导通损耗，让您的电源转换或负载开关应用运行得更高效、更凉爽。

得益于仅750毫欧的超低导通电阻和优化的栅极电荷，它能让您大幅降低开关过程中的能量损失，直接提升整机效率。无论是用于DC-DC转换器、电机控制还是LED驱动，它都能以稳定可靠的性能，简化您的设计，并确保产品在-55°C到150°C的严苛温度范围内持久工作。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高效心脏。