DMN13H750S-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款兼具高耐压、低损耗与紧凑尺寸的开关解决方案而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重推出DMN13H750S-13，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为突破效率瓶颈、释放设计潜能而生的核心引擎。它不仅仅是一个元件，更是您产品实现性能飞跃、赢得市场竞争的关键一步。

想象一下，在您的AC-DC电源适配器、LED照明驱动或是各类电机控制电路中，DMN13H750S-13能够轻松驾驭高达130V的电压，并以仅750毫欧的超低导通电阻，确保电流通路上的能量损耗降至最低。这意味着更少的发热、更高的整体转换效率，直接为您带来更长的设备寿命和更优的能效评级。其卓越的开关特性，配合仅5.6nC的低栅极电荷，让高速开关应用变得行云流水，无论是高频PWM控制还是负载切换，都能响应迅捷，大幅提升系统动态性能。

这款芯片的价值远不止于参数表上的数字。它采用经典的SOT-23封装，在为您节省宝贵PCB空间的同时，其宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性与可靠性。从炎热的车间到严寒的户外，它都能稳定工作，确保您的终端产品在各种严苛条件下依然表现出色。选择DMN13H750S-13，就是选择了一份经过市场验证的稳定与高效。为了确保您能获得原厂品质与及时的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，这不仅是品质的保证，更是项目顺利推进的坚实后盾。

当您审视一个项目的BOM成本时，不能只看单个器件的价格，更要看它所带来的系统级价值。DMN13H750S-13正是这样一款能够降低系统热设计难度、减少外围元件需求、提升整体可靠性的高价值器件。它让您的设计更加简洁优雅，性能却更为强大。无论是升级现有产品线，还是开发面向未来的创新设备，它都是您值得信赖的伙伴。立即采用DMN13H750S-13，开启高效、可靠、紧凑的电源管理新篇章，让您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:DMN13H750S-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:130 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:231 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为开关电源的效率提升而烦恼吗？让DMN13H750S-13为您带来改变。这颗N沟道MOSFET拥有130V的高耐压和1A的连续电流能力，其核心魅力在于仅750毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的电源转换效率，让设备运行更凉爽、更持久。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷确保快速开启与关断，轻松应对高频PWM控制等 demanding 应用场景。采用紧凑的SOT-23封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）提供了卓越的可靠性。选择它，就是为您的设计注入高效与稳定的双重保障。