DMN10H700S-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高性价比的功率开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来的DMN10H700S-7，正是这样一颗能够完美平衡性能、可靠性与成本的明星级N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的得力助手。

想象一下，在汽车引擎舱内的高温环境中，或在工业设备的持续高压运转下，一颗小小的功率开关需要承受怎样的考验。DMN10H700S-7以其高达100V的漏源电压和700mA的连续漏极电流能力，为您提供了坚实的保障。其卓越的导通电阻特性，在10V驱动电压下仅700毫欧，意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，让您的系统运行更“冷静”，续航更持久。无论是用于车载照明系统的智能调光、电池管理系统的负载开关，还是便携式设备中的电源路径管理，它都能游刃有余，确保信号清晰、动力澎湃。

选择DMN10H700S-7，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的汽车级品质承诺。它隶属于Automotive, AEC-Q101产品系列，这意味着它已经通过了严苛的汽车电子可靠性标准测试，工作温度范围宽达-55°C至150°C，无惧极端气候挑战。其紧凑的SOT-23封装，为您节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度设计。更低的栅极电荷和输入电容，让开关速度更快，驱动更轻松，显著简化了您的电路设计难度。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的DIODES授权代理网络随时待命，为您从选型到量产提供全程无忧的服务。让这颗高效、可靠的车规级MOSFET，成为您下一个成功产品的核心动力之源。

• 型号:DMN10H700S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为小空间内的功率控制寻找高效解决方案吗？DMN10H700S-7正是您需要的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和700mA电流处理能力，能以极低的700毫欧导通电阻，让您的电路损耗大幅降低，效率显著提升。

它专为要求严苛的应用而生。其汽车级（AEC-Q101）认证和宽达-55°C至150°C的工作结温，让您轻松应对汽车电子或工业环境中的振动与高低温挑战。超低的栅极电荷和输入电容，意味着您可以用更小的驱动电流实现快速开关，简化外围设计。采用微型SOT-23封装，为您节省每一寸宝贵的电路板空间，是实现高密度、高性能设计的理想选择。