DMN10H220LQ-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？让我们用数据说话：一颗体积微小却拥有100V耐压和仅220毫欧超低导通电阻的MOSFET，能直接将系统效率提升到一个全新高度。这正是DMN10H220LQ-13带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现高性能、小型化设计的关键赋能者。

想象一下，在紧凑的USB PD快充适配器内部，空间寸土寸金，散热挑战严峻。DMN10H220LQ-13凭借其SOT-23-3的超小封装和1.6A的连续电流能力，能够轻松胜任同步整流或负载开关的角色，其低至8.3nC的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让充电过程不仅更快，而且更凉、更安静。它同样能游刃有余地应用于电机驱动、LED照明驱动或DC-DC转换模块中，宽广的-55°C至150°C结温范围，确保了从工业严苛环境到消费电子产品的全天候可靠运行。

选择DMN10H220LQ-13，就是选择了一种经过优化的平衡艺术。它在100V的漏源电压与高效的开关性能之间取得了完美平衡，4.5V的低驱动电压使其能与多种主流控制芯片无缝配合，简化您的设计。这颗来自Diodes Incorporated的优质器件，其“有源”的产品状态保证了长期稳定的供应。当您寻求可靠且高性能的解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，不仅能确保您获得正品货源与技术支持，更能让这颗小巧而强大的芯片，成为您产品在市场竞争中脱颖而出的秘密武器，真正实现从组件到系统价值的全面提升。

• 型号:DMN10H220LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为寻找一颗既能承受高压又具备高效开关性能的紧凑型MOSFET而烦恼吗？DMN10H220LQ-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的高耐压和仅220毫欧的超低导通电阻，能让您的电源转换或电机驱动电路损耗大幅降低，效率显著提升。

它能在仅4.5V的低驱动电压下高效工作，并承载高达1.6A的连续电流，同时其极低的栅极电荷和输入电容确保了迅猛的开关响应。采用标准的SOT-23-3贴片封装，让您轻松实现高密度PCB布局，节省宝贵空间。无论是打造更小巧的快充头，还是设计更可靠的工业控制板，它都能让您的产品性能更强劲，设计更从容。