DMN10H220LK3-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？今天，我们为您带来一款能够显著提升系统性能与可靠性的解决方案DMN10H220LK3-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和7.5A的连续电流能力，正迅速成为工程师们在高效率电源转换和电机驱动应用中的首选。它不仅是一颗晶体管，更是您释放产品潜能、赢得市场竞争的关键钥匙。

想象一下，在您的下一款紧凑型电源适配器、LED驱动器或电动工具中，DMN10H220LK3-13将如何大显身手。其低至220毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的整体效率。无论是处理频繁的开关动作，还是承载持续的电流，它都能保持冷静与稳定。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下依然可靠运行，而TO-252（D-Pak）封装则兼顾了优异的散热性能和易于自动化生产的表面贴装便利性。

选择DMN10H220LK3-13，就是选择了一份经过验证的性能承诺。它优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，让驱动电路设计更为轻松，有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源的频率和功率密度至关重要。当您需要稳定可靠的供应链和原厂技术支持时，通过官方授权的DIODES代理进行采购，无疑是保障项目顺利推进、获取正品芯片与专业服务的最佳途径。让这颗高效、可靠的MOSFET成为您产品设计中不可或缺的动力核心，共同开启能效新纪元。

• 型号:DMN10H220LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:384 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:18.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能平衡性能、效率与成本的功率开关吗？DMN10H220LK3-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的坚固耐压和7.5A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅220毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机控制应用运行得更凉爽、更高效。

它让您轻松应对快速开关挑战。优化的栅极特性（低至6.7nC的栅极电荷）意味着驱动它所需的能量更少，这不仅简化了驱动电路设计，更能提升系统的整体开关频率和响应速度。无论是用于DC-DC转换、电机调速还是负载开关，DMN10H220LK3-13都能以卓越的电气性能和TO-252封装带来的良好散热性，确保您的设计稳定可靠，助力产品在市场中脱颖而出。