DMN10H220L-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中，您是否正在寻找一颗能在100V高压下稳定工作，同时又能将导通损耗降至最低的N沟道MOSFET？答案就在DMN10H220L-13。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，以其卓越的性能参数，正在重新定义小功率高压开关的性价比标准，为您的创新设计注入强劲动力。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电器或智能家居模块中，需要一颗高效、可靠的开关元件。DMN10H220L-13正是为此而生。它拥有高达100V的漏源电压耐受能力，轻松应对各种中压应用场景的电压波动。同时，1.4A的连续漏极电流和低至220毫欧的导通电阻（在10V Vgs，1.6A条件下），意味着它在导通时产生的热量极少，电能转换效率极高。这不仅直接提升了终端产品的续航能力，也显著降低了系统的散热需求，让您的产品设计可以更加轻薄、紧凑。其SOT-23的超小封装，更是为空间受限的PCB布局提供了完美的解决方案。

选择DMN10H220L-13，就是选择了一份安心与高效。它2.5V的低阈值电压和优化的栅极电荷（仅8.3nC），使其能够被微控制器或低压逻辑电路轻松、快速地驱动，大大简化了驱动电路的设计。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，可靠性毋庸置疑。当您需要稳定可靠的货源和技术支持时，我们的官方DIODES代理渠道将为您提供从样品到批量的一站式服务。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流、负载开关，还是电机驱动、LED照明控制，这颗芯片都能以出色的性能和极具竞争力的成本，帮助您打造出市场领先的产品，让您的创意毫无阻碍地转化为现实竞争力。

• 型号:DMN10H220L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为高压小电流开关电路的选择而烦恼吗？DMN10H220L-13就是您的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达100V的电压和1.4A的电流，其核心魅力在于超低的220毫欧导通电阻，这意味着它能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为简化您的设计而生。2.5V的低开启阈值和微小的栅极电荷，让您可以直接用常见的MCU GPIO口来驱动，无需复杂的驱动电路，大大节省了您的开发时间和BOM成本。同时，SOT-23的迷你封装为您宝贵的PCB空间减负，非常适合集成到各类便携式设备、电源适配器和智能控制模块中。选择它，就是选择了一条通往高效、紧凑、可靠产品设计的捷径。