DMN10H170SVT-7

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和发热问题所困扰？想象一下，一颗体积微小却拥有100V耐压和2.6A持续电流能力的MOSFET，能为您的设计带来怎样的性能跃升？答案就藏在DMN10H170SVT-7这颗卓越的N沟道功率器件之中。

它绝不仅仅是一个参数表上的零件。当您将它部署在DC-DC转换器中，其低至160毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航。在电机控制、LED驱动或是负载开关等应用中，其快速的开关特性和仅9.7nC的低栅极电荷，让您的系统响应更迅捷，控制更精准，轻松应对高频开关的严苛要求。无论是紧凑的消费电子产品，还是要求严苛的工业模块，它都能凭借TSOT-26的超小封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供稳定可靠的功率处理能力。

选择DMN10H170SVT-7，就是选择了一份由Diodes Incorporated品质背书的信心。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的稳定表现，让您的产品无惧挑战。其优化的驱动电压（4.5V/10V）与现代控制器完美匹配，大大简化了您的驱动电路设计。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES芯片代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术服务，让这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到百分百的释放。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。

• 型号:DMN10H170SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与高集成度的功率开关解决方案吗？DMN10H170SVT-7正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和2.6A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的160毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关速度和低栅极电荷，让您轻松实现高效率的高频开关操作。其紧凑的TSOT-26表面贴装封装，为您在空间受限的设计中提供了极大的灵活性。无论是用于提升便携设备的续航，还是强化工业设备的可靠性，它都能以卓越的电气性能和坚固性，成为您设计中值得信赖的功率核心。