DMN10H170SK3Q-13

当您的下一个汽车电子项目需要兼顾高可靠性与卓越性能时，您是否正在寻找那颗能承受严苛环境考验的“心脏”？今天，我们为您带来一个经过市场验证的出色答案DMN10H170SK3Q-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、确保系统稳定运行的关键伙伴。它专为汽车级应用而生，通过了严苛的AEC-Q101认证，从-55°C到150°C的极端温度下都能保持稳定输出，让您的设计无惧挑战。

想象一下，在电动汽车的电池管理系统（BMS）、高效的DC-DC转换器，或是精密的电机驱动单元中，DMN10H170SK3Q-13正发挥着核心作用。其100V的漏源电压和高达12A的连续漏极电流，为功率路径提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至140毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接帮助您的终端产品减少发热、延长续航或运行时间。无论是应对瞬间大电流冲击，还是需要长时间稳定工作，它都能游刃有余。

选择这颗芯片，就是选择了一份安心与高效。其TO-252封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达42W的功率耗散，而且便于表面贴装，能有效简化您的生产流程，节省宝贵的PCB空间。极低的栅极电荷（仅9.7nC）意味着它开关迅速，驱动简单，能显著提升系统的响应速度与能效比。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，请认准专业的DIODES一级代理，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。让DMN10H170SK3Q-13成为您下一个成功产品的坚实基石，共同驱动未来科技的无限可能。

• 型号:DMN10H170SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 12A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能扛起汽车电子核心开关重任的MOSFET而烦恼吗？DMN10H170SK3Q-13正是为您量身打造的解决方案。它集高耐压（100V）、大电流（12A）与低导通电阻（140mΩ）于一身，让您的电源转换、电机驱动或负载开关电路运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片采用汽车级工艺制造，通过了AEC-Q101认证，能在-55°C至150°C的极端温度范围内稳定工作，可靠性无可挑剔。其优化的开关特性（低栅极电荷）让您能轻松实现快速切换，提升系统整体响应速度与能效。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的性能保障。