DMN10H170SFG-13

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当您需要一款能在紧凑空间内稳定处理中高功率任务的N沟道MOSFET时，DMN10H170SFG-13的出现，正是为了终结这种两难选择。这款来自Diodes Incorporated的功率器件，以其100V的漏源电压和出色的导通电阻表现，为您打开了高效能量控制的新大门。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，让每一次开关都精准而高效，将宝贵的电能毫无保留地转化为驱动设备的强劲动力。

想象一下，在您的下一款高密度电源适配器、高效的电机驱动板或是精密的电池管理系统中，DMN10H170SFG-13正默默发挥着核心作用。它卓越的开关特性，使得在DC-DC转换器中实现更高的频率成为可能，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，直接助力产品的小型化与轻量化。在电机控制领域，其快速的开关速度和稳健的驱动能力，确保了电机启停与调速的平滑精准，有效降低噪音与振动。无论是消费电子、工业自动化还是汽车辅助系统，这颗芯片都能无缝融入，成为系统可靠运行的坚实基石。

选择DMN10H170SFG-13，意味着您选择了一种经过验证的卓越性能与可靠性。其122毫欧的低导通电阻（在10V Vgs条件下）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。高达8.5A（Tc）的连续漏极电流承载能力，配合PowerDI3333-8的先进封装，在极小的占板面积内实现了出色的散热性能。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定如一。为了确保您能获得正品保障与及时的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购。这不仅是获得一颗高性能芯片，更是为您的项目引入了一份安心与保障，让创新之路畅通无阻。

• 型号:DMN10H170SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找那颗能平衡性能、尺寸与成本的“全能型”MOSFET吗？DMN10H170SFG-13就是您的理想答案。这颗N沟道功率MOSFET专为高效开关应用而生，其100V的耐压和出色的导通特性，能让您轻松驾驭从电源转换到电机驱动的各类中功率场景。

它最大的魅力在于“高效省心”。极低的栅极电荷和输入电容让开关速度飞快，显著降低开关损耗；而优异的导通电阻则直接减少了传导过程中的热量产生。这意味着，您的系统不仅能跑得更快、更凉快，整体能效也将获得可观的提升。采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，它在为您节省宝贵PCB空间的同时，还提供了卓越的散热能力，让高密度设计不再是难题。