DMN10H120SFG-7

在追求更高能效与更紧凑设计的电子时代，如何为您的电源转换或电机驱动应用选择一颗既可靠又经济的功率开关？答案或许就藏在DMN10H120SFG-7这颗高性能N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。凭借其100V的漏源电压和3.8A的连续漏极电流能力，它为中小功率应用场景提供了坚实的性能基础，让能量控制更加精准高效。

想象一下，在您的USB PD快充适配器、DC-DC转换模块或是小型电机驱动板中，DMN10H120SFG-7正默默发挥着关键作用。其低至110毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着在开关过程中产生的热量损耗被大幅降低，这不仅提升了整体能效，也让您的设备运行更凉爽、更稳定。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，这颗芯片都能轻松融入，以其卓越的电气特性和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，从容应对各种苛刻环境。

选择它，就是选择了一份安心与高效。PowerDI3333-8的超紧凑封装，完美契合了当今电子产品小型化、高密度的设计趋势，为您节省宝贵的PCB空间。同时，其优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得驱动电路设计更为简单，开关速度更快，进一步降低了系统损耗。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，遍布全球的DIODES代理商网络将是您的坚实后盾，确保您能及时获取这颗优质芯片，加速产品上市进程。让DMN10H120SFG-7成为您下一个成功产品的核心动力，开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMN10H120SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:549 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取DMN10H120SFG-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能显著提升系统效率、同时保持设计简洁的功率开关解决方案？DMN10H120SFG-7正是为此而生。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和3.8A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅110毫欧@10V），能大幅减少开关损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

它采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，不仅节省电路板空间，还具备出色的热性能。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性。无论是用于快速充电器、DC-DC模块还是其他功率管理场景，DMN10H120SFG-7都能让您轻松实现高效、紧凑且可靠的设计，是工程师应对现代功率挑战的明智之选。