DMN10H100SK3-13

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗成为性能提升的绊脚石时，您是否在寻找一个兼具高可靠性与出色动态响应的解决方案？答案或许就藏在DMN10H100SK3-13这颗高性能N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，以其100V的耐压能力和高达18A的连续漏极电流，为各种严苛应用提供了坚实的功率处理基础。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高密度DC-DC转换器中，这颗芯片能够轻松应对频繁的开关动作。其低至80毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着更低的传导损耗，直接将电能更高效地传递给负载，而不是浪费在发热上。这不仅提升了整体系统效率，更能让您的设备在长时间满载运行时保持冷静与稳定，显著延长了产品寿命。无论是面对消费类快充适配器的紧凑空间，还是汽车电子中需要耐受宽温环境的挑战，它都能游刃有余。

选择DMN10H100SK3-13，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，特别适合高频应用场景。TO-252（DPAK）的表面贴装封装，既保证了出色的散热性能，又适应了现代自动化生产的需要。当您需要稳定可靠的供应链支持时，专业的DIODES代理商将成为您值得信赖的合作伙伴，确保这颗性能芯力量能够及时、顺畅地集成到您的创新设计中。从原型验证到批量生产，它都能以卓越的一致性和可靠性，助您加速产品上市，赢得市场先机。

• 型号:DMN10H100SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1172 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:37W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为功率转换效率不高而烦恼吗？DMN10H100SK3-13正是为您而来的高效开关解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和18A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值80mΩ @ 10V），能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关特性和低栅极电荷，能轻松应对高频开关需求，提升系统动态响应。TO-252封装确保了优异的散热性能，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，让您的设计在面对严苛环境时依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的核心动力。