DMN10H099SK3-13

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在100V电压下稳定承载17A电流的功率开关，其导通电阻却低至惊人的80毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率与可靠性的革命性飞跃。这正是DMN10H099SK3-13为您带来的核心价值用更低的损耗，释放更大的能量。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为应对严苛的工业与汽车环境而生。其高达100V的漏源电压和17A的连续漏极电流，让它在48V通信电源、电动工具、BLDC电机驱动以及各类DC-DC转换器中游刃有余。无论是面对瞬间的电流冲击，还是在-55°C至150°C的广阔温度范围内持续工作，它都能保持稳定可靠的性能，确保您的终端产品在任何环境下都坚如磐石。当您需要构建高效、紧凑且耐用的功率系统时，它无疑是您值得信赖的基石。

选择DMN10H099SK3-13，意味着您选择了一种更明智的工程哲学。极低的栅极电荷（仅25.2nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统可以轻松工作在更高频率，从而缩小磁性元件的体积，实现整体方案的小型化与轻量化。TO-252（DPAK）的经典封装，在提供出色散热能力（最大功耗34W）的同时，也兼顾了生产制造的便利性。更重要的是，通过与可靠的DIODES代理合作，您不仅能获得这颗性能卓越的芯片，更能得到从选型支持到稳定供货的全方位保障，让您的产品创新之路后顾无忧。立即行动，让它成为您下一个爆款产品的强大心脏！

• 型号:DMN10H099SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1172 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:34W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？DMN10H099SK3-13就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和17A的强劲电流处理能力，其超低的80毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让热量更低，续航更长。

它专为要求严苛的应用而设计。无论是应对快速开关的栅极驱动需求（Qg仅25.2nC），还是在-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作，它都能轻松胜任。采用成熟的TO-252表面贴装封装，不仅散热性能优异（功耗高达34W），也便于您实现自动化生产，快速将高效可靠的方案推向市场。