DMN1019UVT-7

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定输出强劲电流的MOSFET而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMN1019UVT-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其仅10毫欧的超低导通电阻和高达10.7A的连续漏极电流，重新定义了小尺寸功率器件的性能标杆。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品能效、缩小体积、增强可靠性的秘密武器。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或无人机飞控系统中，空间何其珍贵。DMN1019UVT-7采用的TSOT-26超薄封装，完美解决了这一痛点，让您在寸土寸金的PCB上实现高密度布局，同时毫不妥协于功率处理能力。其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，确保了无论是严寒还是酷热的环境，它都能稳定运行，为您的产品提供全天候的保障。这正是选择与可靠的DIODES代理合作的价值所在获得经过严格验证、性能卓越的核心元器件。

当我们将目光投向具体的应用场景，这颗芯片的价值愈发凸显。在同步整流电路中，其极低的Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，直接转化为更高的转换效率和更低的温升。对于负载开关或电机驱动应用，1.2V的低驱动电压门槛让它可以轻松被微控制器直接驱动，简化了您的电路设计，降低了整体BOM成本。它就像一位沉默而强大的助手，在电路的关键节点上，确保能量高效、精准地流动。

那么，在众多同类产品中，为何DMN1019UVT-7是您的明智之选？核心在于它在性能、尺寸和可靠性之间取得的卓越平衡。它并非单纯追求某一参数的极致，而是致力于为工程师提供一个“无短板”的解决方案。您无需在电流能力、导通损耗和封装尺寸之间艰难取舍。这颗芯片以其全面的优秀表现，让您的设计过程更加顺畅，最终产品更具市场竞争力。选择它，就是选择了一份让设计更简单、让产品更出色的信心。

• 型号:DMN1019UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2588 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.73W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高达10.7A电流，却又身形小巧的功率开关吗？DMN1019UVT-7正是为您而来。这颗采用先进MOSFET技术的N沟道器件，拥有仅12V的漏源电压和低至10毫欧的导通电阻，旨在为您的高效电源转换和电机驱动应用提供强劲而精准的控制核心。

它能让您轻松实现高效的同步整流和负载管理，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）显著降低了开关损耗，提升整体能效。同时，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和紧凑的TSOT-26表面贴装封装，确保了它在各种严苛环境与紧凑空间中的可靠性与适用性，是您打造下一代高性能、高可靠性电子产品的理想选择。