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DMN1019USNQ-7

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 Tu0026R 3K
原厂封装：封装:SC-59-3
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DMN1019USNQ-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMN1019USNQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SC-59-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 Tu0026R 3K
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.6 nC @ 8 V
  • Vgs（最大值）:±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2426 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:680mW（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SC-59-3
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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