DMN1017UCP3-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？让我们用数据说话：一颗导通电阻低至17毫欧的N沟道MOSFET，能在3.3V驱动下轻松驾驭5A电流，将功率损耗大幅降低。这正是DMN1017UCP3-7带来的核心价值它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统效率、实现紧凑设计的得力引擎。凭借其卓越的电气特性，它能让能量转换过程更为顺畅，把更多电力精准输送到需要的地方，而非浪费在发热上。

想象一下，在那些对体积和效率都极为苛刻的场景中，比如最新一代的智能手机快充模块、轻薄的笔记本电脑主板，或是高密度的服务器POL（负载点）转换器，每一平方毫米的PCB空间都弥足珍贵，每一次开关动作都关乎整体续航与温升。DMN1017UCP3-7采用的先进X3-DSN1010-3封装，在提供高达7.5A连续电流能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子设备向小型化、高性能进化的趋势。它的工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保了从消费电子到工业控制等各种环境下的稳定性和可靠性，让您的产品无惧挑战。

选择DMN1017UCP3-7，就是选择了一种经过验证的高性价比解决方案。它1.8V的低门槛驱动电压与3.3V/5V逻辑电平完美兼容，极大简化了驱动电路设计。仅16nC的低栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，专业的DIODES芯片代理将成为您的坚实后盾，确保您能便捷地获取这颗优质芯片，并得到相应的应用支持。无论是升级现有产品还是开发全新项目，它都能以出色的性能帮助您缩短开发周期，降低系统复杂度，最终打造出在市场上更具竞争力的高效能产品。

• 型号:DMN1017UCP3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，3.3V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 5A，3.3V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 3.3 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1503 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.47W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X3-DSN1010-3
• 封装/外壳:3-XDFN
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还在寻找一颗能同时兼顾高效能与小巧体积的功率开关吗？DMN1017UCP3-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有12V的漏源电压和7.5A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的导通电阻（仅17毫欧@5A, 3.3V），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的X3-DSN1010-3表面贴装封装，极其节省PCB空间，非常适合空间受限的现代便携式设备和高端主板设计。更令人心动的是，它具备优异的开关特性，低栅极电荷和宽泛的工作电压兼容性，让您的驱动电路设计变得异常轻松，轻松实现快速、干净的开关动作，从而提升整体系统响应速度和能效比。