DMN1004UFV-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在12V电压下承载高达70A电流的MOSFET，其导通电阻低至惊人的3.8毫欧，这意味着在15A的电流下，它几乎不产生额外的热量损耗，直接将电能高效转化为动力。这正是DMN1004UFV-7为您带来的核心价值用卓越的性能，重新定义高效率与高可靠性的边界。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，专为严苛的高电流、低电压应用场景而生。无论是服务器和数据中心里要求24/7不间断运行的DC-DC转换模块，还是新能源汽车中负责能量分配与电机驱动的关键部位，甚至是高端游戏笔记本和便携式储能设备中对空间与散热极度敏感的紧凑型设计，DMN1004UFV-7都能游刃有余。其仅需2.5V的低驱动电压即可实现高效导通，配合极低的栅极电荷（47nC @ 8V），让开关速度更快，系统整体频率得以提升，从而让您的终端产品在性能竞赛中快人一步。

选择DMN1004UFV-7，就是选择了一份从容与安心。它采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子产品小型化的趋势。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种恶劣环境下依然稳定如一。当您需要为关键项目寻找一个值得信赖的功率开关解决方案时，这颗芯片所代表的不仅仅是参数上的优势，更是整个系统可靠性、能效与成本综合优化的基石。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，联系值得信赖的DIODES中国代理将是您的明智之选，他们能帮助您将这颗芯片的潜力转化为产品的市场竞争力。

• 型号:DMN1004UFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2385 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为寻找一颗既能扛住大电流，又兼顾高效率与紧凑尺寸的MOSFET而烦恼吗？DMN1004UFV-7正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有12V的漏源电压和高达70A的连续漏极电流承载能力，其核心魅力在于超低的3.8毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它采用易于贴装的PowerDI3333封装，为您节省宝贵的PCB空间。更令人印象深刻的是，它仅需2.5V的低驱动电压即可高效工作，并具备极快的开关速度，这得益于其优化的栅极电荷特性。这一切，都让您能够轻松设计出性能更强、体积更小、续航更久的下一代电子产品。