DMJ7N70SK3-13

在追求更高能效与可靠性的电源设计领域，您是否还在为高压开关应用中的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个能够轻松驾驭700V高压，同时保持出色导通性能的开关器件，将如何彻底改变您的电源模块、适配器或工业控制系统的设计格局？今天，我们为您带来的DMJ7N70SK3-13，正是这样一款能够将您的设计构想转化为卓越现实的高性能N沟道MOSFET。

这款来自Diodes Incorporated的明星产品，以其700V的惊人漏源电压耐受能力，为您的高压侧开关应用筑起了一道坚固的安全防线。无论是面对工业电机驱动中复杂的电压尖峰，还是开关电源（SMPS）初级侧严苛的电压应力，它都能稳如泰山，确保系统长期稳定运行。而其3.9A的连续漏极电流能力，配合低至1.25欧姆的导通电阻（在10V驱动电压下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。这不仅直接提升了整机效率，更能让您的散热设计变得更加简洁高效，帮助您轻松实现更紧凑、更清凉的产品形态。

将视野投向广阔的应用场景，DMJ7N70SK3-13的身影几乎无处不在。它正是那些高效LED驱动电源、台式电脑和服务器电源、各类离线式适配器以及家用电器控制板的核心动力开关。其TO-252（DPAK）的表面贴装封装，完美契合现代自动化生产的需求，在提升组装效率的同时，也保证了优异的散热性能和机械可靠性。当您致力于打造一款性能出众、市场竞争力强的产品时，选择一颗经过市场验证、性能参数均衡的功率器件，无疑是成功的关键一步。

那么，在众多选择中，为何最终锁定DMJ7N70SK3-13？答案在于它精准的性能平衡与卓越的价值体现。高达28W的功率耗散能力，赋予了它强大的功率处理潜力；±30V的宽栅极电压范围，提供了充裕的驱动设计余量；而低至13.9nC的栅极电荷，则显著降低了开关损耗，特别适合中高频的开关应用。这些特性综合起来，为您带来的是一站式的高性价比解决方案它不仅能简化您的设计流程，缩短开发周期，更能通过提升产品能效和可靠性，最终增强您终端产品的市场吸引力。要获得这颗性能强劲且供应稳定的芯片，我们推荐您通过专业的DIODES一级代理进行采购，以确保产品来源正宗并获得全面的技术支持。

尽管该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计、可靠的性能以及在特定存量市场和维修领域的需求，依然使其成为许多经典设计或备品备料清单上的重要选择。选择DMJ7N70SK3-13，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠与高效，让它成为您提升产品力、赢得客户信赖的坚实后盾。

• 型号:DMJ7N70SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:351 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMJ7N70SK3-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受与高效开关的“全能型”MOSFET吗？DMJ7N70SK3-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有700V的漏源击穿电压，能轻松应对严苛的高压环境，为您的电源初级侧或电机驱动电路提供坚固保护。同时，其1.25欧姆的低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。

它专为提升您的设计效率而生。采用标准的TO-252贴片封装，非常适合自动化生产，能帮助您加快产品组装速度。无论是开发新一代开关电源、LED驱动器，还是升级工业控制设备，DMJ7N70SK3-13都能以其稳定可靠的性能，让您轻松实现更紧凑、更高效的设计目标，为最终产品注入强大的市场竞争力。