DMHC10H170SFJ-13

在追求极致效率与紧凑设计的今天，您的下一个电机驱动或电源转换方案，是否还在为分立器件的布局烦恼、为整体方案的体积与热管理而妥协？答案或许就藏在这颗高度集成的功率芯片之中。我们隆重向您介绍DMHC10H170SFJ-13，它不仅仅是一个MOSFET阵列，更是您实现高性能、高可靠性设计的秘密武器。它将两个N通道和两个P通道MOSFET精巧地集成在一个微小的DFN5045-12封装内，构成了一个即拿即用的H桥核心。这意味着，您无需再为匹配多颗分立MOSFET的参数而耗费精力，一颗芯片就能为您搭建起高效电能流动的桥梁，显著简化PCB布局，释放宝贵的板级空间。

想象一下，在那些需要精准控制电机正反转、调速或制动的场景里，例如无人机云台的稳定驱动、智能家居中百叶窗或窗帘的静音开合，或是便携式医疗设备中微型泵的可靠运行，DMHC10H170SFJ-13都能大显身手。其100V的漏源电压和数安培的连续电流能力，为中小功率应用提供了充裕的余量。更低的导通电阻（低至160毫欧）直接转化为更少的热损耗和更高的系统效率，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作，确保了无论是严寒还是酷暑的环境挑战，它都能从容应对，赋予终端产品卓越的环境适应性与耐用性。

选择DMHC10H170SFJ-13，就是选择了一条通往更优设计、更快上市的捷径。它极大地减少了外围元件数量，降低了BOM成本和采购复杂度。优化的栅极电荷和输入电容参数，意味着它更容易被驱动，有助于简化驱动电路设计，并实现更快的开关速度，从而提升系统动态响应性能。对于工程师而言，这等于节省了大量的调试与验证时间。如果您正在寻找一个值得信赖的供应伙伴，DIODES中国代理将为您提供从这颗芯片到全线产品的一站式技术支持和供应链服务，确保您的创新想法能够顺畅、高效地转化为现实产品。拥抱集成，选择DMHC10H170SFJ-13，让我们一起驱动更智能、更高效的未来。

• 型号:DMHC10H170SFJ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN5045-12
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A，2.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:V-DFN5045-12
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还在为复杂的H桥电路搭建而头疼吗？让DMHC10H170SFJ-13来为您化繁为简！这颗来自Diodes Incorporated的100V MOSFET阵列芯片，集成了2个N通道和2个P通道MOSFET，为您预置了一个高效、紧凑的H桥功率级核心。

它能让您轻松驾驭高达2.9A的连续电流，并以低至160毫欧的导通电阻实现高效电能转换，显著降低系统发热。其出色的开关特性（栅极电荷仅9.7nC）让驱动设计更简单，响应更迅捷。无论是驱动微型电机、管理电源路径，还是其他需要双向功率控制的应用，它都能让您的设计更加可靠、紧凑且高效。