DMG7401SFGQ-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载高电流、又能保持超低导通损耗的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的DMG7401SFGQ-13，正是这样一款能够完美平衡性能与效率的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键钥匙。

想象一下，在紧凑的电源管理模块中，需要高效控制电流的通断。DMG7401SFGQ-13凭借其仅11毫欧的超低导通电阻（在12A，20V条件下），能够将导通损耗降至极低水平，这意味着更少的能量以热量形式浪费，更多的能量用于驱动您的设备。其30V的漏源电压和9.8A的连续漏极电流能力，为各种中压、中功率应用提供了坚实的保障。无论是智能手机的充电管理、便携式设备的负载开关，还是工业控制板上的功率分配，这颗芯片都能游刃有余，确保系统稳定可靠地运行。

选择DMG7401SFGQ-13，就是选择了一份从容与高效。其采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供出色散热性能的同时，极大地节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加紧凑、优雅。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使其无惧严苛的环境挑战，从消费电子到汽车电子，都能展现其稳定本色。更低的栅极电荷（58nC @ 10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。当您需要可靠、高性能的P沟道MOSFET时，它无疑是您的理想之选。

我们深知，优秀的产品需要可靠的渠道来支持。为了确保您能获得原装正品和及时的技术支持，我们推荐您通过官方DIODES授权代理进行采购。让DMG7401SFGQ-13成为您下一个成功项目的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:DMG7401SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取DMG7401SFGQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源路径控制寻找一颗“得力干将”吗？DMG7401SFGQ-13正是您需要的答案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有30V耐压和9.8A的持续电流能力，能轻松胜任各种负载开关和电源切换任务。

它的核心魅力在于极高的效率。仅11毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，让您的设备更凉爽、续航更持久。同时，其优化的开关特性让您能构建出响应迅速、控制精准的电源管理系统。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。