DMG6968UDM-7

您是否正在为空间紧凑的便携设备寻找一颗既能高效驱动负载，又能显著降低功耗的双路MOSFET？想象一下，在您的下一代智能穿戴设备或超薄笔记本中，一颗芯片就能同时控制两个关键电路，不仅节省了宝贵的PCB面积，更将系统效率提升到全新高度。这正是DMG6968UDM-7为您带来的核心价值它将两个高性能的N沟道MOSFET集成在微小的SOT-23-6封装内，以24毫欧的超低导通电阻和6.5A的连续电流能力，让您的设计在性能和尺寸之间取得完美平衡。

这颗芯片的应用场景几乎覆盖了所有对效率和空间有极致要求的领域。在智能手机的快充模块中，它能高效切换电源路径，减少能量损耗，让充电更快、更凉。在无人机飞控或微型机器人里，其逻辑电平门控特性可直接由微控制器驱动，轻松控制电机或执行器的开关，响应迅速且功耗极低。对于IoT传感器节点或可穿戴设备，其低至900mV的阈值电压和微安级待机功耗，能显著延长电池续航，让产品在市场上脱颖而出。选择与可靠的DIODES芯片代理合作，您不仅能获得这颗优质芯片的稳定供应，更能获得专业的技术支持，确保您的创意从蓝图变为现实。

那么，为什么越来越多的工程师将DMG6968UDM-7作为其紧凑型设计的首选？答案在于它卓越的综合性能与无与伦比的易用性。其高达150°C的结温工作范围，确保了在严苛环境下的稳定运行；而8.8nC的低栅极电荷，意味着开关速度极快，开关损耗大幅降低，系统整体效率得以跃升。无论是用于负载开关、电机驱动还是电源管理，这颗芯片都能让您以更少的元件、更简单的电路，实现更强大、更可靠的功能。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、加速产品上市的秘密武器。

• 型号:DMG6968UDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:143pF @ 10V
• 功率 - 最大值:850mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
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还在为电路板空间捉襟见肘而烦恼吗？DMG6968UDM-7正是为您量身打造的解决方案！这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，将两个高性能开关集成在微小的SOT-23-6封装中，让您轻松实现高密度布局。

它拥有6.5A的强大电流驱动能力和仅24毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。其逻辑电平门控设计，让您可以直接用微控制器的GPIO口轻松驱动，简化了电路设计。无论是用于高效的负载开关、精准的电机控制，还是紧凑的电源路径管理，它都能让您的设备运行更凉、续航更长、响应更迅捷。