DMG6968LSD-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在低压大电流场景下稳定工作，同时将导通电阻控制在毫欧级别的MOSFET，将如何彻底改变您的设计。这正是DMG6968LSD-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。

无论是需要精密控制的便携式设备电池保护电路，还是对响应速度和效率有严苛要求的DC-DC转换器与负载开关，DMG6968LSD-13都能游刃有余。其20V的漏源电压和6.5A的连续漏极电流能力，为各种低压、大电流应用场景提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在1.8V的低驱动电压下，其导通电阻低至惊人的36毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率和可靠性，让您的终端产品运行更凉爽、续航更持久。

选择DMG6968LSD-13，就是选择了一种经过市场验证的卓越性能与稳定品质。其采用紧凑的8-SOP表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子产品设计，帮助您轻松实现高密度PCB布局。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的参数表现和广泛的应用口碑，使其在特定存量市场和备件需求中依然极具价值。为了确保您能获得正品货源和可靠的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES代理进行咨询与采购，这将是您项目成功与供应链安全的重要一环。让这颗高效的“能量开关”，成为您下一个明星产品中不可或缺的可靠心脏。

• 型号:DMG6968LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 3.5A，1.8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:151 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的低压MOSFET吗？DMG6968LSD-13正是为您而来的解决方案。它能让您在20V、6.5A的应用中，轻松实现高效的能量切换，其低至36毫欧的导通电阻显著减少了功率损耗，让您的设备运行更高效、发热更少。

这颗采用先进MOSFET技术的N沟道晶体管，拥有极低的栅极电荷和输入电容，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗。无论是用于提升电源转换效率，还是作为精准的负载开关，它都能以紧凑的8-SOP封装，为您节省宝贵的电路板空间，助您打造出更小巧、更强大的终端产品。