DMG6402LVT-7

在追求极致效率的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载高电流、又具备出色开关性能，同时还能节省宝贵PCB空间的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的DMG6402LVT-7，正是这样一款集高性能与小尺寸于一体的卓越解决方案，它将彻底改变您对功率开关器件的认知。

想象一下，在您的便携式设备、负载开关或电机驱动电路中，一颗芯片需要默默承担起高效能量转换的重任。DMG6402LVT-7凭借其N沟道设计和30V的漏源电压耐受能力，为您提供了坚实可靠的基础。更令人振奋的是，它在25°C环境下可连续通过高达6A的电流，而导通电阻在10V驱动下低至惊人的30毫欧。这意味着更低的导通损耗，更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的设备运行时间。无论是电池供电的设备需要延长续航，还是高密度设计需要控制温升，它都能游刃有余。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它的驱动门槛极低，Vgs(th)最大值仅为2V，配合4.5V即可获得优异的RdsOn性能，让您能够轻松兼容各类低压微控制器，简化驱动电路设计。同时，极低的栅极电荷（仅11.4nC @ 10V）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，特别适合高频PWM应用，让您的电源转换或电机控制响应更加迅捷、精准。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了产品无与伦比的环境适应性，从容应对各种严苛挑战。

当您着眼于最终产品的竞争力时，选择DMG6402LVT-7就意味着选择了性能与空间的完美平衡。TSOT-26的超紧凑封装，在提供强大功率处理能力的同时，几乎不占用布局面积，为您的产品小型化、轻薄化设计扫清了障碍。我们信赖的DIODES代理网络确保您能获得稳定、及时的原厂正品供应和技术支持，让您的项目从设计到量产一路畅通。选择DMG6402LVT-7，不仅是选择了一颗优秀的MOSFET，更是为您的产品注入了高效、可靠与创新的核心动力，助力您在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:DMG6402LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:498 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.75W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 想获取DMG6402LVT-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能同时搞定高效电源切换和节省电路板空间的“全能选手”吗？DMG6402LVT-7正是为此而生。这颗30V/6A的N沟道MOSFET，凭借低至30毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它让您轻松驱动，仅需4.5V栅极电压即可实现优异性能，完美匹配现代低压微处理器。同时，其极低的栅极电荷确保了超快的开关速度，非常适合高频开关电源、电机驱动和负载开关应用，能大幅提升系统整体效率与响应速度。

采用微型TSOT-26封装，它在提供强大电流处理能力的同时，为您节省下宝贵的PCB面积，是空间受限的便携式、高密度设计的理想选择。选择DMG6402LVT-7，就是为您的设计注入高效与紧凑的双重优势。