DMG4800LK3-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载高电流、又具备卓越开关性能的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出DMG4800LK3-13，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您对高效、可靠功率管理的严苛要求而生。它不仅仅是一个元器件，更是您产品提升性能、降低能耗、赢得市场的关键引擎。

想象一下，在您的便携式设备电源管理模块中，或者在紧凑的电机驱动电路板上，DMG4800LK3-13正以其30V的耐压和高达10A的连续漏极电流能力，稳定地处理着能量流。其超低的17毫欧导通电阻（在9A，10V条件下），意味着在开关和导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，直接转化为更长的设备续航时间或更低的系统发热。无论是用于负载开关、DC-DC转换，还是电机控制，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久。

选择DMG4800LK3-13，就是选择了一份从容与信心。它采用成熟的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，从消费电子到工业控制，适应性极强。更低的栅极电荷（仅8.7nC @ 5V）和适中的驱动电压要求，让您的驱动电路设计变得简单高效，进一步优化整体方案成本。当您需要可靠的原厂品质与稳定的供货支持时，选择一家值得信赖的DIODES芯片代理合作伙伴至关重要，它能确保您顺利地将这颗高性能芯片的价值，快速转化为产品的市场竞争力。

• 型号:DMG4800LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:798 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.71W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为功率转换效率不高而头疼吗？让DMG4800LK3-13来为您解决！这颗N沟道MOSFET是您实现高效能量控制的得力助手。它能在30V电压下承载10A电流，并以低至17毫欧的导通电阻运行，显著减少开关损耗，让您的设备更省电、发热更少。

无论是给电池供电设备做负载开关，还是驱动小型电机，它都能轻松胜任。其优化的栅极特性让驱动设计变得简单，标准的TO-252封装便于您快速布局生产。选择它，就是为您的产品注入了高效可靠的动力核心。