DMG4712SSS-13

想象一下，您正在设计的下一代便携式设备，需要在更小的空间内实现更强的功率控制和更高的效率，同时还要应对散热和稳定性的挑战。这正是DMG4712SSS-13大显身手的舞台。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。它凭借30V的漏源电压和高达11.2A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实的动力基础，让您在面对复杂负载时也能游刃有余。

无论是需要高效电源管理的笔记本电脑、平板电脑，还是追求极致续航和紧凑设计的无人机、移动电源，甚至是汽车电子中的辅助控制系统，DMG4712SSS-13都能完美融入。其低至14毫欧的导通电阻（在10V Vgs下），意味着在开关过程中产生的热量损耗被大幅降低，这不仅提升了整体能效，也让您的产品在长时间高负荷运行时更加冷静稳定。集成的体肖特基二极管功能，更进一步简化了电路设计，提供了额外的保护，让您的系统可靠性迈上新台阶。

选择DMG4712SSS-13，就是选择了一种经过验证的卓越性能与设计自由度的结合。其4.5V的低驱动电压门槛，使其能够轻松兼容多种主流控制芯片，加速您的开发进程。表面贴装的8-SOP封装，专为现代高密度PCB设计而生，帮助您节省宝贵的板级空间。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES芯片代理渠道，您依然可以获取高质量的库存，为现有产品维护或特定项目需求提供关键支持。这颗芯片所代表的，是Diodes对功率半导体技术的深刻理解，它能将您的创意，高效、可靠地转化为现实。

• 型号:DMG4712SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 11.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2296 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.55W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理中等功率的MOSFET而烦恼吗？DMG4712SSS-13正是为您而来的解决方案。它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路运行得更顺畅、更凉爽。

这颗N沟道MOSFET拥有30V/11.2A的强劲规格，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅14mΩ），能显著减少开关损耗和发热，直接提升您的终端产品能效和可靠性。内置的体二极管和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），让它能轻松应对各种严苛环境，为您的设计保驾护航。