DMG4468LFG

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载高电流又具备出色开关性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的DMG4468LFG，正是这样一款能够完美平衡性能与效率的N沟道功率器件。它不仅仅是一个简单的开关，更是您提升系统整体能效、实现设计小型化的得力助手。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动电路或是负载开关应用中，DMG4468LFG能够轻松应对高达7.62A的连续电流。其低至15毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着在导通状态下，它能将能量损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效功，而不是以热量的形式白白浪费。这不仅直接提升了终端产品的续航能力或运行效率，也简化了您的散热设计，让产品结构更紧凑、更可靠。无论是便携设备中的电池保护电路，还是工业控制板上的功率分配单元，它都能稳定可靠地工作。

选择DMG4468LFG，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。这颗芯片采用先进的MOSFET技术，拥有30V的漏源电压耐受能力，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种严苛环境下的稳定性和耐久性。其紧凑的U-DFN3030-8表面贴装封装，专为高密度PCB设计而生，帮助您有效节省宝贵的板级空间。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的DIODES授权代理渠道，您依然可以获取到经过严格质量控制的库存，为现有产品的维护与升级提供坚实保障。让这颗高效能的“能量阀门”，为您的下一个创新设计注入强劲而持久的动力。

• 型号:DMG4468LFG
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.62A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:990mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• 想获取DMG4468LFG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为功率转换效率低下而头疼吗？DMG4468LFG N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能为您做什么？核心在于其卓越的开关与导通性能。在10V驱动电压下，仅15毫欧的超低导通电阻，让电流通过时的损耗微乎其微，直接提升您的系统能效，同时减少发热。

这颗芯片让您能轻松驾驭高达7.62A的连续电流和30V的电压，其快速的开关特性和低栅极电荷，确保了在高频开关应用中的高效与稳定。采用小巧的DFN封装，它还能帮助您优化电路板布局，实现更紧凑、更可靠的产品设计。选择它，就是为您的电源管理、电机驱动或负载开关应用选择了一个高效、可靠的“能量核心”。