DMG4468LFG-7

当您的设计需要在紧凑空间内实现高效功率转换时，是否曾为寻找一款兼具高性能与高可靠性的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMG4468LFG-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对现代电子设备的严苛挑战而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或高密度电源模块中，每一毫瓦的功耗都至关重要，每一立方毫米的空间都弥足珍贵。DMG4468LFG-7凭借其仅为15毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），在10V驱动下就能轻松驾驭高达11.6A的电流，这意味着更少的能量以热量的形式白白浪费，更多的电能被高效利用。其7.62A的连续漏极电流能力和30V的漏源电压，为各种低压大电流应用提供了坚实的保障。无论是同步整流、负载开关还是电机驱动，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久。

选择DMG4468LFG-7，就是选择了一份从容与自信。其采用先进的U-DFN3030-8封装，体积小巧却散热出色，表面贴装设计完美适配自动化生产，能显著提升您的制造良率并降低成本。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定可靠，让您的产品无惧挑战。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的官方DIODES代理商网络随时为您提供专业服务。这颗芯片的价值，不仅在于其优异的参数，更在于它能为您的终端产品带来的整体性能飞跃和用户体验提升。让它成为您下一个爆款设计的核心动力，开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMG4468LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.62A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:990mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
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还在为电源效率瓶颈而困扰吗？DMG4468LFG-7就是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您高效地控制电流通断，其超低的15毫欧导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗极低，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

它拥有7.62A的强劲电流处理能力和30V的耐压，轻松应对各种低压大电流场景，如DC-DC转换、电机驱动或负载开关。紧凑的U-DFN3030-8封装为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的散热特性保障了长期稳定运行。选择它，就是选择了一种让设计更简单、性能更卓越的可靠途径。