DMG3406L-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否曾为开关电源或电机驱动电路中的功率损耗与空间占用而烦恼？想象一下，一颗仅SOT-23封装的器件，却能承载高达3.6A的连续电流，导通电阻低至惊人的50毫欧这并非遥不可及的未来科技，而是DMG3406L-13为您带来的现实解决方案。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是Diodes Incorporated匠心打造的高效能量开关，旨在将每一份电能都精准、低损耗地传递到负载端。

无论是便携设备中的负载开关、DC-DC转换器的同步整流，还是小型电机、LED驱动的脉宽调制控制，DMG3406L-13都能游刃有余。其30V的漏源电压耐压值，为常见的12V或24V系统提供了充足的安全裕度；而仅需4.5V的低驱动电压即可实现优异导通特性，让您能轻松兼容各类微控制器GPIO口直接驱动，极大简化了电路设计。在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作，意味着从酷寒户外设备到高温密闭环境，它都是值得信赖的核心。

选择DMG3406L-13，就是选择了一种更高效、更可靠的设计哲学。极低的Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）显著降低了开关过程中的能量损耗与驱动需求，让系统整体效率再上一个台阶。其紧凑的SOT-23封装在节省宝贵PCB空间的同时，并未牺牲功率处理能力，完美平衡了性能与尺寸的矛盾。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，通过官方授权的DIODES代理进行采购，无疑是保障项目顺利推进、获得正品原装芯片的最佳途径。让这颗小巧而强大的MOSFET，成为您下一个产品在性能与成本竞争中脱颖而出的秘密武器。

• 型号:DMG3406L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:495 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为寻找一颗既能承受大电流又足够小巧的开关管而费神吗？DMG3406L-13正是为您量身打造的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V耐压与3.6A的连续电流能力，而其导通电阻在10V驱动下仅50毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源管理或电机驱动方案效率更高、发热更少。

它采用业界通用的SOT-23封装，节省板上空间的同时，其4.5V的低驱动门限让您能轻松使用微控制器直接驱动，简化电路设计。无论是用于负载开关、DC-DC转换，还是PWM控制，DMG3406L-13都能以稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的设备在各种环境下高效可靠地运行。