DMG3404L-13

在追求极致效率的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载足够功率、又能节省宝贵PCB空间的N沟道MOSFET而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍DMG3404L-13，这款来自Diodes Incorporated的明星产品，正以其卓越的性能重新定义小型化功率开关的标准。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或智能家居模块中，需要一颗可靠的心脏来高效控制电流的通断。DMG3404L-13正是为此而生。其30V的漏源电压和高达4.2A的连续漏极电流，为各类DC-DC转换、负载开关及电机驱动应用提供了坚实的保障。更令人惊叹的是，它将如此强悍的性能浓缩于微小的SOT-23封装之内，让您的设计在性能与体积之间不再需要妥协，轻松实现更纤薄、更紧凑的产品形态。

选择DMG3404L-13，就是选择了一份安心与高效。其低至25毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，它都能游刃有余。为了让您更便捷地获得这款优质芯片，我们推荐您通过值得信赖的DIODES代理进行采购，确保货源正宗与技术支持无忧。当卓越的电气特性、出色的热性能与极致的封装工艺完美结合，DMG3404L-13已然成为工程师心中高性价比、高可靠性的不二之选，助力您的创意更快地转化为成功的产品。

• 型号:DMG3404L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找那颗能兼顾强劲动力与精巧身形的“核心开关”吗？DMG3404L-13就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和4.2A的持续电流能力，却精巧地栖身于SOT-23封装中，让您在设计便携设备、电源管理模块时，能大幅节省PCB空间，同时获得稳定可靠的性能基石。

它专为高效而生。极低的导通电阻（仅25毫欧@10V）意味着更少的能量损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。搭配从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，它能轻松应对各种环境挑战，确保您的产品在各种工况下都表现如一。选择它，就是为您的项目选择了一份高效、紧凑且坚固的保障。