DMG301NU-7

当您的便携式设备需要一颗既小巧又可靠的开关核心时，您会如何选择？答案或许就藏在DMG301NU-7这颗卓越的N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化空间布局的得力助手。凭借其仅260mA的连续漏极电流和25V的漏源电压，它在低功耗、高稳定性的应用中表现尤为出色，让您的设计从一开始就站在了可靠与高效的基石上。

想象一下，在TWS耳机、智能手表、便携式医疗传感器或物联网终端设备中，空间是何等珍贵。而DMG301NU-7采用的SOT-23超小型封装，正是为这类紧凑型设计而生。它能轻松融入最有限的空间，同时其低至1.1V的栅极阈值电压和仅2.7V即可实现低导通电阻的特性，意味着它能够被微控制器或低电压逻辑电路轻松驱动，极大地简化了您的电源管理和信号切换电路设计。无论是用于负载开关、电平转换，还是电池保护电路，它都能确保高效的能量传输和精准的控制。

选择DMG301NU-7，就是选择了一份从容与安心。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，从炎热的户外到寒冷的仓储环境，性能始终如一。极低的栅极电荷和输入电容，使得开关速度更快，开关损耗更低，这对于追求高效率和高频响应的应用至关重要。当您需要可靠、高品质的Diodes Incorporated产品时，通过值得信赖的DIODES代理进行采购，不仅能确保原装正品和稳定供应，更能获得专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。这颗小小的芯片，承载的是让您的创意稳定落地、让产品脱颖而出的巨大价值。

• 型号:DMG301NU-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.36 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:42 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMG301NU-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能完美匹配您紧凑型设计的低电压驱动MOSFET而烦恼吗？DMG301NU-7正是为您而来的解决方案。它能让您轻松实现高效的负载开关和信号路径管理，其低至1.1V的开启电压和仅需2.7V驱动即可获得优异导通性能的特点，让您即使使用低功耗MCU也能得心应手地控制电路通断。

这颗采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，集小巧体积与可靠性能于一身。它能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，确保您的便携设备、传感器模块或物联网终端在各种环境下都表现可靠。选择它，就是为您的产品选择了一颗高效、安静且节省空间的“心脏”，让设计更简洁，让性能更出众。