DMG301NU-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一颗既能精准控制微小电流，又能轻松集成于空间受限板卡的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来的DMG301NU-13，正是这样一款专为高效、微型化应用而生的N沟道MOSFET，它将以其卓越的性能，成为您设计蓝图中的关键拼图。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密模拟电路中，需要一颗能够快速响应、低损耗地切换信号的“电子开关”。DMG301NU-13正是为此而生。它拥有25V的漏源电压和260mA的连续漏极电流能力，足以从容应对大多数低电压、小电流的开关与控制任务。其核心魅力在于极低的驱动门槛最低仅需2.7V的栅极电压即可实现高效导通，这让它能够轻松兼容各类微控制器（MCU）和数字信号处理器的GPIO口，无需复杂的电平转换电路，直接驱动，大大简化了您的系统设计。

这颗芯片的价值远不止于参数表。当它被应用于电池供电的物联网终端时，其低至4欧姆的导通电阻（在4.5V Vgs下）意味着更小的导通压降和更低的功率损耗，直接转化为更长的设备续航时间。在需要高速信号切换的数据采集或通信模块中，极低的栅极电荷（仅0.36nC）和输入电容（27.9pF）确保了超快的开关速度，减少了开关延迟和动态损耗，让您的系统响应更加迅捷流畅。其SOT-23的超小型封装，更是为寸土寸金的PCB板节省了宝贵空间，让高密度集成成为可能。

选择DMG301NU-13，就是选择了一份可靠与高效。它来自业界知名的Diodes Incorporated，品质历经市场验证。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它强大的环境适应能力，无论是严寒还是酷热，都能稳定工作。对于正在寻找稳定货源和专业技术支持的设计师与采购而言，通过值得信赖的DIODES中国代理进行采购，不仅能确保正品供应，还能获得本地化的快速服务与支持，让您的项目从研发到量产一路畅通。让DMG301NU-13为您的小型化、高效能设计注入强大动力，开启智能控制的新篇章。

• 型号:DMG301NU-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.36 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.9 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMG301NU-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能够完美平衡性能、尺寸与功耗的微型开关解决方案？DMG301NU-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET专为低电压、小电流的精密控制场景打造，能让您的设计事半功倍。

它能让您轻松实现高效信号切换与电源管理。凭借仅2.7V的低驱动电压，它可以被大多数微控制器直接驱动，简化电路设计。同时，其低导通电阻和超低的栅极电荷，确保了极低的功率损耗和快速的开关响应，特别适合电池供电的便携设备及需要高速运作的模块，显著提升整体能效与性能。

采用紧凑的SOT-23封装，它为您节省宝贵的电路板空间，助力产品实现更小巧、更集成的设计。无论是智能穿戴、传感器节点还是各类消费电子，DMG301NU-13都能以可靠的品质，成为您项目中高效、稳定的“核心开关”。