DMG2307L-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一个仅SOT-23大小的封装，却能稳健承载30V电压与2.5A电流，同时将导通电阻控制在惊人的低水平这并非遥不可及的理想，而是DMG2307L-7为您带来的现实。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其卓越的电气特性和坚固的可靠性，正在重新定义小型化功率器件的性能标杆。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是对空间极其敏感的IoT模块、可穿戴电子产品，或是各类消费电子中的电源路径管理，DMG2307L-7都能无缝融入。其4.5V的低驱动电压门槛，让它可以轻松被微控制器直接驱动，简化了您的电路设计，省去了额外的驱动芯片。在电池供电的场景中，其低至90毫欧的导通电阻意味着更少的能量以热的形式耗散，直接转化为更长的设备续航时间，让您的产品在竞争中脱颖而出。

选择DMG2307L-7，就是选择了一份从容与保障。它不仅仅是一个参数优秀的MOSFET，更是一个经过市场验证的可靠解决方案。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在严苛环境下依然稳定工作。当您需要可靠、高效且极具性价比的P沟道MOSFET时，DMG2307L-7无疑是您的上佳之选。如需获取样品或技术支持，欢迎联系我们的DIODES中国代理，他们将为您提供专业的服务，助您加速产品上市进程。

• 型号:DMG2307L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:371.3 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为复杂的电源开关电路头疼吗？DMG2307L-7这颗P沟道MOSFET，就是为您简化设计、提升效率而生的利器。它让您仅用一颗小巧的SOT-23封装芯片，就能轻松实现高达30V、2.5A的负载开关控制。

得益于其优异的性能参数，如低至90毫欧的导通电阻和仅4.5V的驱动电压，它能显著降低导通损耗，提升整体能效，并可直接由MCU GPIO口驱动，让您的电路板布局更简洁，BOM成本更优化。无论是电池管理、电源路径切换还是电机控制，它都能助您构建更可靠、更高效的解决方案。