DMG2305UX-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为空间、功耗和成本而妥协？想象一下，一颗仅SOT-23封装的器件，却能持续承载高达4.2A的电流，将导通电阻压降至惊人的52毫欧这并非遥不可及的未来科技，而是DMG2305UX-13为您带来的现实突破。这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了小尺寸功率器件的可能性，让高效与紧凑不再是对立的选择。

无论是需要精密电源轨控制的便携式设备，还是空间极其有限的IoT模块，或是高密度板卡上的负载开关，DMG2305UX-13都能游刃有余。其1.8V的低驱动电压特性，使其能与现代低电压微处理器和逻辑电路无缝对接，轻松实现高效开关控制，显著延长电池续航。在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，更是确保了从消费电子到工业环境的各种严苛应用都能可靠运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

为何众多领先的设计师纷纷将目光投向这颗芯片？答案在于它无与伦比的综合价值。极低的Rds(on)意味着更少的导通损耗和发热，直接提升了系统整体效率并简化了散热设计。微小的SOT-23封装为您节省了宝贵的PCB空间，让产品设计更加纤薄灵动。更重要的是，通过值得信赖的DIODES中国代理，您不仅能获得稳定的供货保障和原厂品质，还能得到专业的技术支持，确保这颗高性能芯片的价值在您的设计中得到百分百的释放。从原型到量产，DMG2305UX-13都是您打造下一代高效、紧凑型电子产品的明智之选。

• 型号:DMG2305UX-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:808 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMG2305UX-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为负载开关或电源路径选择而烦恼吗？DMG2305UX-13正是您期待的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有20V的耐压和4.2A的连续电流能力，其核心魅力在于仅52毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。1.8V的低驱动电压让您能轻松兼容各类低压MCU，实现高效控制；紧凑的SOT-23封装为您最大限度节省板级空间。无论是电池供电设备的电源管理，还是需要高效开关的电路模块，它都能让您以更小的体积和更优的性能，轻松应对挑战，加速产品上市。