DMG1026UV-7

在追求极致空间利用与高效能转换的现代电子设计中，您是否常常为如何在有限的主板上集成更多功能而烦恼？想象一下，一个比米粒还小的封装内，却集成了两个独立的N沟道MOSFET，能够轻松驾驭60V的电压和410mA的连续电流，这不仅仅是节省空间，更是为您的设计打开了全新的可能性。这正是DMG1026UV-7为您带来的核心价值将强大的双通道开关能力浓缩于SOT-563/666的超微型封装之中。

无论是需要精密信号切换的便携式医疗设备，还是对功耗极其敏感的物联网传感器节点，甚至是空间紧凑的智能手机内部电源管理模块，DMG1026UV-7都能完美胜任。其逻辑电平门控特性意味着它可以直接与微控制器等低压逻辑电路无缝对接，让您的系统设计更加简洁高效。高达150°C的结温工作范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行，为您的产品品质提供了坚实的保障。

选择DMG1026UV-7，就是选择了一种更智能、更集成的解决方案。它极低的导通电阻（仅1.8欧姆）和微小的栅极电荷（0.45nC），直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，这不仅提升了整体能效，也减少了发热，让您的终端产品运行更凉爽、续航更持久。其卓越的电气参数，在同类微型封装器件中表现突出，是您在追求高性能与小型化平衡时的理想之选。若您正在寻找可靠且高性能的MOSFET阵列，通过专业的DIODES代理获取原厂正品DMG1026UV-7，将是确保供应链稳定与技术支持到位的明智之举。

• 型号:DMG1026UV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):410mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.45nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32pF @ 25V
• 功率 - 最大值:580mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
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还在为电路板空间捉襟见肘而发愁吗？DMG1026UV-7就是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，将两个独立的60V/410mA开关引擎，精巧地集成在微小的SOT-563封装内，专为空间受限的高密度设计而生。

它能让您轻松实现高效的负载开关、信号路径选择与电源管理。其逻辑电平门控（Vgs(th)最大仅1.8V）让您可以直接用微处理器或低电压逻辑电路驱动，简化设计的同时，其极低的导通电阻和输入电容确保了快速的开关响应与最小的功率损耗。无论是便携设备、传感器模块还是复杂的电源系统，选择DMG1026UV-7，就是选择了一种让您的产品更小巧、更高效、更可靠的智能解决方案。