DMG1023UVQ-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个智能设备项目是否正为寻找一颗既能简化电路、又能可靠驱动负载的“心脏”而困扰？答案或许就藏在DMG1023UVQ-13这颗双P沟道MOSFET阵列之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现产品小型化、高性能化梦想的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理设计，它能将您的创意蓝图，高效、稳定地转化为市场领先的现实产品。

想象一下，在汽车电子领域，从智能车窗控制到精密的LED照明驱动，每一个需要高效电源切换与负载管理的角落，都是DMG1023UVQ-13大展身手的舞台。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，意味着它能在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，从容应对车辆启动时的电流冲击与长时间运行的热量考验，为行车安全与舒适提供无声却坚实的保障。而在消费电子领域，无论是便携式设备中的电源路径管理，还是IoT传感器节点中的低功耗开关，其低至750毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，都能显著减少能量损耗，延长电池续航，让您的产品在竞品中脱颖而出。

选择DMG1023UVQ-13，就是选择了一份省心与高效。它将两个高性能P沟道MOSFET集成于微小的SOT-563封装内，为您节省了宝贵的PCB空间，让布局更灵活，设计更优雅。其1.03A的连续漏极电流能力和20V的漏源电压，为常见的低压控制应用提供了充裕的余量。更值得一提的是，通过与值得信赖的DIODES中国代理合作，您不仅能获得原厂正品保障和稳定的供货支持，还能得到专业的技术咨询与选型指导，确保这颗芯片的价值在您的系统中得到完美释放。从原型验证到批量生产，让DMG1023UVQ-13成为您提升产品竞争力、加速上市进程的可靠基石。

• 型号:DMG1023UVQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.03A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.622nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59pF @ 16V
• 功率 - 最大值:530mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
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还在为空间有限的电路板寻找高效的负载开关方案吗？DMG1023UVQ-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的双P沟道MOSFET阵列，集成了两个性能一致的开关，让您能轻松实现电源选择、负载通断等关键功能，极大简化您的电路设计。

它拥有低至750毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，意味着更少的导通损耗和更快的开关速度，让您的系统运行更高效、更节能。其20V的耐压和1.03A的连续电流能力，足以应对多种低压、中电流场景。更重要的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，具备出色的可靠性，是汽车电子与高要求工业应用的理想选择。选择它，就是选择了一份稳定与高效。