DMC6070LND-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为分立器件的布局和性能平衡而烦恼？想象一下，将高性能的N沟道与P沟道MOSFET完美集成于一颗微型芯片中，会为您的产品带来怎样的变革？答案就在DMC6070LND-13。这颗来自Diodes Incorporated的尖端功率阵列芯片，正是为破解这一难题而生，它将双通道的强劲动力与超凡的能效表现，浓缩进一个仅有8-PowerVDFN封装的微小空间里，让您的设计从此轻盈而有力。

无论是需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是电机驱动、负载开关等对开关速度和导通损耗极为敏感的应用场景，DMC6070LND-13都能游刃有余。其高达60V的漏源电压和分别可达3.1A与2.4A的连续漏极电流，为系统提供了坚实的功率基础。更令人心动的是，其极低的导通电阻（最大值仅85毫欧）与微小的栅极电荷，意味着更少的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更低的温升、更高的整体效率以及更长的设备续航。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠，是工业控制、汽车电子、便携设备等领域的理想心脏。

选择DMC6070LND-13，不仅仅是选择了一颗组件，更是选择了一种更智能、更集成的设计哲学。它显著节省了宝贵的PCB板面积，简化了布线和物料管理，让您的研发团队能够更专注于核心功能的创新与优化。其卓越的电气特性直接提升了终端产品的性能与市场竞争力。若您正在寻找这样一款能够同时提升性能、效率与可靠性的解决方案，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供详尽的技术支持与便捷的供应链服务，助您将这款强大的芯片价值快速转化为产品优势。

• 型号:DMC6070LND-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A，2.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:731pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 想获取DMC6070LND-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的双MOSFET选型和布局头疼吗？让DMC6070LND-13为您化繁为简！这颗高度集成的N沟道与P沟道MOSFET阵列，将强劲的60V耐压、最高3.1A的驱动能力以及优异的开关性能，全部封装进一个微小的8-PowerVDFN空间内。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路效率大幅提升，同时显著降低导通损耗和发热。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，让您的系统运行更高效、更稳定。选择它，就是选择了一种更省心、更高效的设计路径，轻松实现产品性能与可靠性的双重飞跃。