DMC4029SK4-13

当您的电源管理设计需要在有限空间内实现高效能转换，同时还要兼顾成本与可靠性时，您是否感到选择困难？这正是DMC4029SK4-13诞生的初衷。这款来自Diodes Incorporated的N/P沟道互补型MOSFET阵列，以其40V的耐压能力和高达8.3A的连续漏极电流，为您提供了紧凑而强大的功率开关解决方案。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的同步整流DC-DC转换器中，或者在电机驱动、负载开关等应用中，DMC4029SK4-13能够发挥怎样的价值。其极低的导通电阻（最大值仅24毫欧@6A，10V）意味着更少的能量损耗和发热，直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子领域，这颗芯片都能让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出，实现性能与成本的完美平衡。

选择DMC4029SK4-13的理由清晰而有力。它集成了N沟道和P沟道MOSFET于一体，采用TO-252表面贴装封装，极大地节省了PCB空间，简化了您的布局设计。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种严苛环境下的稳定运行。更重要的是，通过我们信赖的DIODES代理渠道，您不仅能获得正品保障和可靠供应，还能得到专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品注入高效、可靠灵魂的战略选择。

• 型号:DMC4029SK4-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-4L
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.1nC @ 20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
• 供应商器件封装:TO-252-4L
• 想获取DMC4029SK4-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的功率开关而烦恼吗？DMC4029SK4-13正是为您量身打造的解决方案。这颗集成了N沟道和P沟道MOSFET的互补型阵列，让您轻松实现高效的同步整流、电机驱动或负载切换，其高达8.3A的电流处理能力和低至24毫欧的导通电阻，确保您的系统运行更高效、更凉爽。

它采用紧凑的TO-252表面贴装封装，能帮您最大化利用宝贵的PCB空间。宽广的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了它应对各种挑战性环境的强大韧性。选择DMC4029SK4-13，就是选择为您的设计注入一份可靠与高效的动力核心。