DMC3730UFL3-7

想象一下，当您的下一代便携式设备需要同时驱动多个负载，而PCB空间却寸土寸金时，您会如何选择？答案就藏在DMC3730UFL3-7这颗精巧的芯片之中。它将N沟道和P沟道MOSFET巧妙地集成在一个微小的DFN1310封装内，为您节省高达70%的宝贵空间，同时提供高达30V的耐压和1.1A的驱动能力，让您的设计从“可能”走向“卓越”。

无论是智能手表里复杂的电源路径管理，还是TWS耳机中高效的充电与负载开关控制，这颗芯片都能游刃有余。它那低至460毫欧的导通电阻，意味着更少的能量损耗和更长的电池续航；而仅0.9nC的超低栅极电荷，则确保了开关动作迅捷无比，让您的产品响应如丝般顺滑。在-55°C到150°C的严苛温度范围内，它依然稳定可靠，完美契合汽车电子（AEC-Q101）与消费类产品对性能与寿命的双重苛求。

选择DMC3730UFL3-7，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一个经过市场验证的解决方案。它简化了您的BOM清单，降低了采购与生产管理的复杂度，让工程师能将更多精力投入到核心功能的创新上。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，专业的DIODES代理商将是您坚实的后盾。现在就为您的项目注入这颗高效、紧凑的能量核心，开启产品性能与竞争力的全新维度。

• 型号:DMC3730UFL3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1310-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A，700mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:65.9pF @ 25V
• 功率 - 最大值:390mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-XFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:X2-DFN1310-6（B 类）
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还在为空间有限的电路板寻找高效的双路开关方案吗？DMC3730UFL3-7正是为您而来！这颗来自Diodes Incorporated的N和P沟道互补MOSFET阵列，集成了两个高性能开关，让您轻松实现信号切换、电源路径管理和负载控制。

凭借30V的耐压、最高1.1A的持续电流以及超低的导通电阻与栅极电荷，它能显著提升您的系统效率，减少发热，并延长电池寿命。其紧凑的DFN1310表面贴装封装，专为空间敏感型应用设计，同时满足汽车级AEC-Q101的可靠性要求，是您打造高性能、高可靠性产品的理想选择。