DMC3401LDW-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个电源管理或信号切换方案，是否还在为分立器件的布局空间和匹配难题而烦恼？想象一下，将两颗性能优异的N沟道与P沟道MOSFET完美集成于一个微小的SOT-363封装内，会是怎样的体验？这正是DMC3401LDW-13为您带来的革新答案。它不仅仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、简化设计流程的得力助手。

这颗来自Diodes Incorporated的互补MOSFET阵列，以其高达30V的漏源电压和出色的导通电阻表现，为您打开了广阔的应用大门。无论是便携设备中高效的负载开关与电源路径管理，确保每一毫安电流都物尽其用；还是通信模块里精准的信号选通与电平转换，保障数据流的纯净与稳定；亦或是各类消费电子中需要双路控制的马达驱动、LED调光，DMC3401LDW-13都能以极高的集成度和可靠性从容应对。其N沟道与P沟道的互补设计，让您能轻松构建推挽输出、桥式电路等经典拓扑，用最少的元件实现最复杂的功能。

选择DMC3401LDW-13，就是选择了一种更高效、更可靠的设计哲学。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应迅如闪电，整体能效显著提升。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷暑，性能始终如一。而其微小的SOT-363封装，更是为空间寸土寸金的现代电子产品量身定制，极大节省了宝贵的PCB面积，让您的布局更加游刃有余。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，专业的DIODES代理商将是您坚实的后盾。让DMC3401LDW-13成为您下一个项目的核心动力，体验高集成度解决方案带来的简约与强大。

• 型号:DMC3401LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA（Ta），550mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400mOhm @ 590mA，10V，900mOhm @ 420mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A，2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2nC @ 10V，800pC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 15V，19pF @ 15V
• 功率 - 最大值:290mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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还在为复杂的双MOSFET电路设计而头疼吗？DMC3401LDW-13这颗高度集成的互补MOSFET阵列，就是来为您化繁为简的。它将一颗N沟道和一颗P沟道MOSFET精巧地封装在一起，让您轻松实现高效的负载开关、信号切换或电平转换，大幅节省您的电路板空间和设计时间。

凭借其30V的耐压能力、低至400mΩ的导通电阻以及超低的栅极电荷，它能确保您系统的运行既高效又稳定。无论是驱动小型电机、管理电源路径，还是处理数字信号，它都能以卓越的性能响应您的需求。其表面贴装设计和宽广的工作温度范围，更让您的产品能够轻松应对各种应用环境与生产要求。