DMC3061SVT-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能简化电路、又能提升性能的功率开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案DMC3061SVT-7。这款来自Diodes Incorporated的N和P沟道互补型MOSFET阵列，以其卓越的集成度和高效的性能，正在重新定义紧凑型电源管理的可能性。它不仅仅是一个组件，更是您释放产品潜能、赢得市场竞争力的关键钥匙。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或是高密度服务器主板中，空间是何等珍贵。DMC3061SVT-7以其精巧的TSOT-26封装，将两个高性能MOSFET融为一体，为您节省下宝贵的PCB面积，让您的设计更加纤薄、紧凑。其高达30V的漏源电压和3.4A的连续漏极电流能力，确保了在各类负载切换、电机驱动或电源路径管理应用中的稳定与可靠。无论是快速响应的负载点转换，还是需要精密控制的信号开关，它都能游刃有余，让您的系统运行如丝般顺滑。

选择DMC3061SVT-7，就是选择了一份放心的保障与显著的价值提升。其极低的导通电阻（最低仅60毫欧）意味着更少的功率损耗和发热，直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升。超低的栅极电荷和输入电容，则让开关速度更快，效率更高，轻松应对高频开关需求。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，更是赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷热，性能始终如一。当您通过值得信赖的DIODES代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是高品质的元器件，更是从设计到量产的全周期支持，确保您的创意能够快速、稳妥地转化为成功的产品。

• 型号:DMC3061SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta），2.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A，2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V，6.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V，287pF @ 15V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 想获取DMC3061SVT-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板空间紧张和功率损耗问题头疼吗？让DMC3061SVT-7来为您排忧解难！这颗高度集成的互补MOSFET阵列，将N沟道和P沟道MOSFET合二为一，采用超薄的TSOT-26封装，能为您节省高达50%的布局空间，让您的产品设计更加小巧精致。

它拥有30V的耐压和最高3.4A的持续电流能力，配合低至60毫欧的导通电阻，能极大降低开关过程中的功率损耗，提升整体能效。无论是用于电池供电设备的负载开关、电机驱动，还是信号路径管理，它都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制，显著提升产品的续航和稳定性。