DMC3036LSD-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为分立器件的布局和性能妥协而烦恼？想象一下，将高性能的N沟道与P沟道MOSFET合二为一，以更小的空间实现更强大的驱动与控制这正是DMC3036LSD-13为您带来的核心价值。这颗来自Diodes Incorporated的集成式MOSFET阵列，以其卓越的30V耐压和高达5A的连续电流能力，重新定义了紧凑型功率解决方案的可能性。

无论是需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是空间极其宝贵的便携式设备中的负载开关，DMC3036LSD-13都能游刃有余。其逻辑电平门驱动特性，意味着它能被微控制器轻松驾驭，极大简化了驱动电路设计。在电机控制、电池保护电路或是高密度服务器主板等场景中，这颗芯片的N/P沟道组合提供了无与伦比的布线灵活性和设计自由度，让您的产品在性能与成本之间找到最佳平衡点。

选择DMC3036LSD-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。其极低的导通电阻（仅36毫欧）直接转化为更少的热损耗和更高的系统效率，而宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则确保了它在各种严苛环境下的稳定运行。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的性能使其在特定应用和库存解决方案中依然极具吸引力。如需获取可靠的货源与专业的技术支持，请联系我们的DIODES中国代理，我们将为您提供全面的服务，助您将经典器件的价值最大化。

• 型号:DMC3036LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A，4.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:431pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOP
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还在为复杂的双MOSFET选型和布局头疼吗？DMC3036LSD-13为您提供一站式解决方案！这颗集成N沟道和P沟道的MOSFET阵列，让您轻松实现高效的同步整流、负载切换或电机驱动。其30V的耐压和高达5A的驱动能力，足以应对大多数紧凑型设备的功率需求。

更令人心动的是它的易用性。作为逻辑电平器件，它可以直接由您的MCU或低电压逻辑电路驱动，无需复杂的电平转换，大大简化了您的电路设计。极低的导通电阻意味着更少的能量损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。选择它，就是选择了一个让设计变简单、让性能更出色的得力助手。