DMC3016LNS-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间和性能的平衡而烦恼？想象一下，将两颗高性能MOSFET的卓越驱动能力，浓缩进一个几乎不占空间的封装里，会带来怎样的设计革命？这正是DMC3016LNS-13为您呈现的答案。这款来自Diodes Incorporated的N和P沟道互补型MOSFET阵列，以其高达30V的漏源电压和出色的导通电阻，为您打开了高效、紧凑电源设计的新大门。

无论是汽车电子中严苛的引擎控制单元、LED照明驱动，还是便携式设备里对空间寸土寸金的DC-DC转换器与负载开关，DMC3016LNS-13都能游刃有余。它符合AEC-Q101车规标准，确保在-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作，为您的产品注入全天候的可靠性。其超低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体效率显著提升，电池续航更持久，散热设计更轻松。

选择DMC3016LNS-13，不仅仅是选择了一颗元件，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用先进的8-PowerVDFN封装，在提供高达9A连续电流能力的同时，将占板面积降至最低。极低的导通电阻（最低仅16毫欧）直接转化为更少的导通损耗和发热，让您的产品在性能竞赛中脱颖而出。如果您正在寻找一个能同时优化效率、空间与可靠性的解决方案，那么这颗芯片无疑是您的理想之选。如需获取样品或技术支持，欢迎联系我们的DIODES中国代理，我们将为您提供全方位的服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:DMC3016LNS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），6.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1184pF @ 15V，1188pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
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还在为复杂的双MOSFET布局和散热头疼吗？DMC3016LNS-13为您提供一站式高效解决方案。这颗车规级互补MOSFET阵列，将N沟道和P沟道高性能晶体管集成于微小的8-PowerVDFN封装内，让您轻松实现紧凑、高效的同步整流或半桥拓扑设计。

它凭借低至16毫欧的导通电阻和9.5nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统整体能效。无论是处理高达9A的连续电流，还是在-55°C至150°C的严苛环境下稳定运行，它都游刃有余。选择它，就是选择让您的电源管理设计更简单、更可靠、更具竞争力。