DMC3016LDV-13

在追求极致能效的现代电子设计中，您是否还在为空间受限却需要强大驱动能力的应用场景而烦恼？今天，我们为您带来一个集高性能、高可靠性与小尺寸于一身的完美解决方案DMC3016LDV-13。这颗来自Diodes Incorporated的汽车级双MOSFET阵列，正是为应对严苛挑战而生，它将彻底改变您对功率密度和设计灵活性的认知。

想象一下，在紧凑的汽车电子模块、便携式设备或高密度服务器电源中，DMC3016LDV-13能够轻松驾驭高达30V的电压和21A的连续电流。其N沟道和P沟道互补型设计，为您提供了前所未有的电路简化可能。超低的导通电阻（最低仅12毫欧）意味着更少的能量损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。这一切都封装在微小的8-PowerVDFN封装内，为您节省下宝贵的PCB空间，让设计游刃有余。

无论是车身控制模块中的电机驱动，还是负载开关中的高效电源路径管理，这颗芯片都能稳定可靠地工作于-55°C至150°C的极端温度范围，全面满足AEC-Q101汽车级标准。这意味着它不仅适用于消费电子，更是您进军汽车、工业等高端市场的信心保障。选择DMC3016LDV-13，就是选择了一种将高性能、高可靠性与极致小型化完美融合的设计哲学。当您需要稳定可靠的供应链和技术支持时，我们的DIODES芯片代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:DMC3016LDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 7A，10V，25 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1184pF @ 15V，1188pF @ 15V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高效率与迷你尺寸的驱动核心吗？DMC3016LDV-13正是您的理想之选。这颗汽车级双MOSFET阵列，集成了N和P沟道，能轻松处理30V电压和21A电流，其超低的导通电阻（最低12毫欧）能显著减少功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它采用先进的8-PowerVDFN超薄封装，为您在空间紧张的设计中释放无限可能。无论是驱动电机、管理电源路径，还是作为高速开关，它都能在-55°C到150°C的严苛环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠且节省空间的心脏，让复杂设计变得前所未有的轻松。